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FDT457N中文资料

FDT457N图片

FDT457N外观图

  • 大小:94.5KB
  • 厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:235pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDT457N-NDFDT457NTR

FDT457N供应商

更新时间:2023-01-13 04:29:21
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